异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。

通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。

异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。

具有强关联特性的LaA103/SrTi03过渡金属氧化物异质界面，可以用来制造纳米尺度场效应管、新型量子霍尔系统和高温超导体，具有应用到下一代电子器件上的潜力。

由于过渡金属氧化物的强关联特性，该界面会呈现出与半导体界面不同的性质，在其界面处形成的二维电子气与传统的半导体界面不同。为了能将过渡金属氧化物异质结界面的这种性质应用于实际领域，需要将其制作为场效应晶体管器件。

因为增大栅介质层厚度将导致栅电容对器件沟道电荷的控制力减弱，而减小栅介质层厚度则会导致栅极击穿电流的降低。

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