本次经验讲的是对MOSFET手工估算参数的提取，针对Id、L、IC0与电路性能参数的这种关系，这次就介绍如何根据选定的模型，通过Pspice软件仿真提取用于手工估算的MOSFET参数，这次讲的是提取gm/Id、IC0与Von的关系，希望可以帮到大家。提取gm/Id、IC0与Von的关系1/11分步阅读

新建工程，绘制电路图

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查看NMOS模型的相关参数。点击NMOS，右键选择Edit Pspice Model，了解NMOS的u0、Tox、Vth0

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设置全局变量。双击PARAMETERS,点击New Column，输入参数名和值，点击OK；选中L,点击display，选择Name and Value。

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设置电路中电源电压，及MOS管的宽长比。V5电源电压设置为NMOS的Vth0，宽长比自行设定

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创建新的仿真，进行仿真。

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进行直流仿真，选择DC Sweep。扫描电压V6，V6的变化范围从0到500mV，步长为1mV。

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点击run图标进行仿真，出现Probe模块

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点击Trace/Add Trace 或者直接点击Add Trace图标，在Trace Expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。

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首先，显示IC0与Von的关系。根据IC0=Id/，又因为I0=2n0*u0*Cox*Vt²，n0取1.4，计算得出I0等于300nA，宽长比我这里设置的是20，所以IC0的表达式是ID(MN5) /6uA，点击Ok出现相应的绿色曲线。

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接着，显示gm/Id与Von的关系。根据gm等于Id对Vgs的求导即对Von的求导，可以得出gm/Id的表达式D(ID(MN5))/ID(MN5)，点击Ok出现相应的红色曲线。

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两条曲线同时出现在图中，在以后的MOSFET手工估算中，就可以快速查询gm/Id、Von、IC0三者之间的对应关系了，如图为查找IC0=15时对应的gm/Id的值

orcadpspice