等离子增强化学气相沉积（PECVD）用于沉积半导体工艺中的SiO2、SiNx绝缘层、介质膜，沉积绝缘层、阻隔层等用途。为了规范PECVD设备操作方法、工艺要求、操作注意事项、保证生产或实验正常安全地进行，提供此操作方法。工具/原料morePlasmaPro 800 Stratum PECVD方法/步骤1/6分步阅读动力条件：电、管道PN2、冷却水、压缩空气（CDA）、排风系统、尾气燃烧塔、水洗塔。

所用材料：SiH4、N2、N2O、NH3、CF4/O2等，具体需要根据工艺设置参数。

开机

打开技术夹道里面的干泵冷却水（先开回水、再开进水，水压调整在1.5Kgf左右）、打开干泵边上的氮气阀（吹扫干泵）、配气柜边上的压缩空气（CDA）阀门，再打开需要使用的工艺气体。

打开设备后面的冷却水、CDA、N2等阀门，然后打开设备电源、打开设备的计算机。

设备计算机打开后，直接打开设备控制软件，登录进入控制界面。

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进入Process--Chamber，设置温度为300℃，点Start按钮▶，等待温度升到300℃。

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点击System­ -- Pumping，点击下面的“Stop”，再点击“Vent”，开始对腔体充气，当腔体内压力等于外界压力时，双手按住机台上两个“Hoist”按钮打开盖子。

确定把需要生长氮化硅或氧化硅薄膜的样品放置在底盘的中心位置，四周用小硅片围住，以免在工艺过程中被气流吹跑。

样品放置好后，点击其下方的“Stop”，再点击“Evacuate”， 会出现一个对话框让输入备注信息，此时可以输入生长的材料及姓名等信息以便以后查询，输入完成后直接回车确认，开始抽真空。当腔压抽到2mTorr时，就可以进行实验了。

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确定真空度已达到2mTorr以下，无其他警报，再次确认工艺气体、尾气处理、水洗塔状态。

选择运行程序：当反应腔达到基础真空后，点击Process--Recipes--Load选择相应程序（若是需要更改程序参数，可以直接选择一个程序后，点选程序里面的各步骤进行程序的编辑），并点击OK，程序运行前需仔细检查各工艺参数，确认无误后点击“Run”，运行程序。

工艺结束后，会弹出一个提示窗口，说明程序已经完成，点击“OK”，程序自动进入“Pumping”模式。

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工艺完成后，点击控制面板中的“Stop”按钮，再点击 “Vent”按钮，开始对腔体充气，当腔内为大气压时，同时按住两个“Hoist”蓝色按钮，打开盖子，设备会自动关闭充气阀，或者等到其充气时间到达设备自动关闭充气阀；取出制品。

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关机时要将腔内抽为真空，然后将机械泵关闭；之后再退出程序，关闭电脑，电源，水电气等。

清洁腔体

每次更换不同生长材料时，都要打开腔体手动清洁腔体，清洁后使用clean程序用O2和CF4清洁一次腔体，然后使用Dry clean刻蚀程序根据前面生长样品的厚度设定刻蚀时间，一般生长多长时间，就要刻蚀多长时间。

注意事项

更换材料时，必须生长500nm的环境，以避免交叉污染。

每次放样品的时候，一定要注意安全，避免使用塑料镊子，以免融化。

手套、袖口一定要收紧，避免身体任何部位接触到托盘，小心烫伤。