构建合理的异质结构半导体光催化剂可以提高光催化反应活性。下面由小编来为大家介绍一下ZnIn2S4/In2O3异质结构的制备方法。工具/原料more仪器：静电纺丝机；磁力搅拌器；电子天平；真空干燥箱；扫描电镜等原料与试剂：InCl3·4H2O；DMF；PVP等方法/步骤1/2分步阅读

In2O3纳米纤维的制备：

1、首先，将InCl3·4H2O（0.8g）溶解在DMF（12mL）中并搅拌1h。然后，将PVP（1.6g）加入上述混合溶液中，继续磁力搅拌过夜，得到均匀黏稠的透明前驱体溶液。接下来，将前体溶液转移到配备有内径为0.5mm的钢针的塑料注射器（5mL）中。

2、在静电纺丝过程中，电压设置为15KV，前体溶液的注入速率保持为0.2mm/min。同时，使用包裹在金属鼓上的铝箔（转速：50rpm/min）收集电纺PVP/InCl纳米纤维，铝箔与钢针尖之间的距离设定为375px。

3、所有收集的电纺纳米纤维在空气中于550°C下煅烧2h（加热速率：1℃/min）以完全去除有机聚合物组分。自然冷却至室温后，最终得到纯In2O3纳米纤维。

2/2

ZnIn2S4/In2O3异质结构的制备：

1、首先在磁力搅拌下将甘油（8mL）和水（32mL，pH=2.5，由0.5M HCl调节）加入100mL圆底烧瓶中以形成均匀溶液。然后，通过超声处理将ZnCl2（272mg）、InCl3·4H2O（586mg）和硫代乙酰胺（TAA，300mg）依次溶解到溶液中。

2、将In2O3纳米纤维（100mg）分散在上述溶液中并搅拌0.5h，将所得混合物移入油浴中并在80℃下保持搅拌2h。反应完成后，离心收集所得沉淀物（表示为ZnIn2S4/In2O3-3），用去离子水和乙醇洗涤数次，最后真空干燥过夜。

3、使用与制备ZnIn2S4/In2O3-3相同的实验程序制备了另外三种ZnIn2S4/In2O3-1、ZnIn2S4/In2O3-2和ZnIn2S4/In2O3-4异质结构，不同的是ZnIn2S4前驱体的量分别调整为0.25、0.5和1.5倍。按照相同的实验方法，在不添加In2O3纳米纤维的情况下，还制备了纯花状ZnIn2S4用于比较。

注意事项

纺丝过程中一定要保持舱门关闭

正确打开及关闭高压发生器