电导调制效应是Webster效应，又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。

当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。

更准确的定义下： Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。

对器件性能的影响

这种大注入使基区电阻率降低（注入越大, 降低得越多）的现象，就直接减小了发射结注入效率，使电流放大系数降低。

Webster effect 效应对大电流状态下工作的均匀基区晶体管（例如合金晶体管）而言，影响特别严重，这往往就是引起其大电流βo下降的主要原因。

但是，对于非均匀基区晶体管（例如Si平面双扩散晶体管）而言，在大电流时βo的下降，Webster effect效应可能不是主要原因，这时更加主要的可能是Kirk效应。

当BJT工作时出现发射极电流集边效应时，将会加剧Webster effect效应和Kirk效应。